RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
52
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
52
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2236
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link