RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1774
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link