RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
5.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1774
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link