RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3156
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link