RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2675
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link