RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
70
Autour de -218% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3172
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link