RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3437
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link