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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3437
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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