RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3437
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link