RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2675
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link