RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
51
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2570
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link