RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
51
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
51
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2570
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link