RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1983
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link