RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1983
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link