RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2892
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link