RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2892
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link