RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
94
En -276% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
25
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3377
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link