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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3086
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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