RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
86
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
86
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1933
1469
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link