RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
86
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1933
1469
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link