RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de -7% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2956
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link