RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
49
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
21
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2980
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link