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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2660
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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