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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
58
Autour de 50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
58
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2025
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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