RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
58
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2025
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9905403-445.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link