RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2732
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link