RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
29
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
19
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
17.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
3689
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link