RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
49
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2478
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link