RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Comparez
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Note globale
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1210
3519
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link