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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1210
3519
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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