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Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
2374
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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