RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
2374
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link