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Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Mushkin 991586 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991586 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991586 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2156
2374
Mushkin 991586 2GB Confronto tra le RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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