RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
3238
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link