RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
104
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2483
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link