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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
63
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
35
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2336
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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