RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1130
2336
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link