RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2046
2349
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link