RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2046
2349
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link