RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
59
Autour de 56% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
59
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
1968
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link