RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1968
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link