RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
3081
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link