RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3081
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link