RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3081
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link