RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3081
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link