RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3601
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link