RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2191
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link