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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2537
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