RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
2537
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link