RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2773
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link