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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
2773
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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